型号 | EPC1011 |
厂商 | EPC |
描述 | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
EPC1011 PDF | |
代理商 | EPC1011 |
应用说明 | Thermal Performance of eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
产品培训模块 | eGaN™ Basics eGaN™ Power Transistors Characteristics Drivng eGaN™ Power Transistors eGaN FETs for DC-DC Conversion |
产品变化通告 | EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011 |
RoHS指令信息 | Lead Free/RoHS Statement |
标准包装 | 1 |
系列 | eGaN® |
FET 型 | GaNFET N 通道,氮化镓 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 25 毫欧 @ 12A,5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 3mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.7nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 440pF @ 75V |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 7-LGA |
供应商设备封装 | 7-LGA(3.6x1.6) |
包装 | 标准包装 |
产品目录页面 | 1599 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 917-1005-6 |